Опубликовано: декабрь 2018 г. KF Plasma Times
Вступление
Основываясь на модели г-на Кеше «Универсального Порядка Создания Материи», считается, что Начальная Фундаментальная Плазма подобна структуре Нейтрона. С другой стороны, распад Исходной Фундаментальной Плазмы приводит к разделению ее содержимого на две составляющие атома: протон и электрон. В этом процессе также высвобождаются магнитные остаточные плазменные поля, которые могут проявляться в виде света или энергии. Один протон и один электрон образуют Первоначальный Фундаментальный Атом (который является атомом Водорода). Путем добавления одного нейтрона получается атом дейтерия (обозначенный D или H2), а путем добавления двух нейтронов мы получаем структуру атома трития (обозначаемую T или H3), как показано на рис. 1. Дейтерий и тритий являются изотопами водорода.
Свободная плазма нейтрона содержит весь спектр плазмы. Поэтому нейтрон играет важную роль в создании любого материала, в производстве энергии и во многих других применениях плазменных технологий. Производство нейтронов облегчается взаимодействием полей между изотопами водорода, которые являются основными строительными блоками в плазменной технологии. Эта публикация представляет читателю простое практическое руководство по производству GaNS трития, дейтерия, водорода и нейтрона.
Процедура получения GaNS трития (H3)
GaNS Трития (H3) обладает высокой напряженностью магнитного поля. Это основной GaNS, используемый для полетов и в энергетических системах. В своем физическом состоянии тритий представляет собой изотоп водорода с атомной массой 3, содержащий два нейтрона и протон. В состоянии GaNS тритий представляет собой плазматическую структуру, которая ведет себя совершенно по-другому и не проявляет радиоактивности, несмотря на то, что его название вводит в заблуждение. То, что достигается с помощью процесса Tritium GaNS, проявляет во взаимодействиях с плазмой только структурные свойства атома трития. Даже если формула плазмы Н3, она обозначает только массу плазмы этой унитарной структуры. Тритий GaNS имеет очень сильные характеристики магнитной плазмы и применяется в технологии космических полетов Mr.M.Keshe.
Внимание! Тритий, дейтерий или водород GaNS могут быть интегрированы в плазменные системы для обработки различных дисбалансов с очень высокой эффективностью. Однако следует воздерживаться от применения этих GaNS в здравоохранении, если Вы не обладают необходимыми знаниями.
Получение GaNS трития, происходит с помощью стандартного комплекта реактора для производства CO2 GaNS с медной пластиной с нанопокрытием и цинковой пластиной, соединенной со светодиодом. Желательно, чтобы используемая тара была достаточно большой и сделана из стекла. Например, можно использовать стеклянную чашу в форме параллелепипеда или аквариум со стенками, склеенными специальным безуглеродным клеем. Расстояние между двумя пластинами в СО2-реакторе составляет примерно 12-14 см. Внутри этого бокса для производства СО2, на расстоянии не менее 4 см от поверхности воды, над уровнем металлических пластин, установлен открытый стеклянный сосуд, заполненный CH3GaNS. Для этого на внутренние стенки ящика можно закрепить несколько пластиковых крючков. Сосуд не должен соприкасаться с водой в производственном боксе! Он должен располагаться выше уровня металлических пластин, так что плазменные взаимодействия между двумя пластинами не влияют непосредственно на процессы в подвешенном стеклянном сосуде. Основание этого стеклянного сосуда должно быть большим, чтобы жидкость в нем находилась на максимально возможной площади. Он должен располагаться не между двумя металлическими пластинами, а выше их уровня. Необходимо, чтобы бокс для производства СО2 был достаточно высоким, чтобы в него можно было установить стеклянный сосуд.
Для удержания CH3GaNS можно использовать стакан с более высокими ножками (например, бокал для шампанского), который опирается на дно реактора. Его ножка должна быть достаточно высокой, чтобы доставать до уровня металлических пластин, как показано на рис. 2.
Затем верхнюю часть этой коробки для производства СО2 тщательно герметизируют, тщательно отделяют от атмосферы (например, можно использовать специальный безуглеродный клей). Светодиодный провод между двумя металлическими пластинами остается внутри этого замкнутого пространства. Примерно через 10-12 дней в стеклянном сосуде наверху реактора можно наблюдать желтоватую или желто-голубую жидкость, которая представляет собой тритий GaNS (H3). Между медной и цинковой пластинами с нанопокрытием образуется плазменное углеродное поле, которое подобно магниту притягивает углеродное поле из CH3GaNS в стеклянном сосуде. Жидкость в подвешенном сосуде проявляет характеристики плазменных полей трития (H3), образующих тритий GaNS. На рис. 3 показано визуальное представление этого процесса. Эта процедура, при которой плазма извлекается из компонента плазмы, такого как GaNS, называется восстановлением плазмы.
Причина отказа от использования пластиковых или полипропиленовых сосудов или углеродсодержащих клеев при производстве Tritium GaNS заключается в следующем. Пластик содержит в своей формуле углерод и водород (химическая формула полипропилена – (C3H6)n). Эти элементы могут мешать, подпитывая плазменные процессы, протекающие в реакторе. Если использовать пластиковую коробку (полипропилен), как это обычно используется в коробках для производства GaNS, например, при производстве CO2 GaNS, поля углерода начинают извлекаться из корпуса реактора, после того будет поглощён весь углерод из воздуха. Это задерживает процесс получения GaNS из трития. При извлечении углерода из клея можно обнаружить быстрое ухудшение его характеристик, что приводит к утечкам. Следует отметить, что CH3GaNS не всегда полностью трансформируется.
Совет: GaNS следует хранить в герметично закрытых стеклянных сосудах. Лучше всего из имеющихся в продаже стеклянных бутылок со стеклянной крышкой и резиновой прокладкой.
Плазма Tritium GaNS имеет гораздо более высокую магнитную силу плазмы, чем CH3 GaNS, и необычайную зону покрытия. Можно усилить процесс восстановления, используя источник постоянного тока между медной пластиной с нанопокрытием и цинковой пластиной.
Процедура получения дейтерия GaNS (H2)
Дейтерий представляет собой изотоп водорода с одним нейтроном и одним протоном в ядре и атомной массой 2. Дейтерий GaNS считается «базовым строительным блоком» в технологии космических полетов Кеше. По всей Вселенной можно найти пакеты магнитно-гравитационного поля с силой, равной протону, нейтрону и электрону, которые можно «захватить» для производства дейтерия, считающегося «топливом будущего». При определенных условиях дейтерий GaNS может образовывать кристаллы алмаза в процессе сушки (путем связывания 6 атомов дейтерия).
Этот GaNS имеет нейтральную характеристику, он может играть как магнитную, так и гравитационную роль, в зависимости от системы, в которую он интегрирован. Он черного цвета, и при правильном приготовлении дейтерий GaNS взаимодействует с магнитами. Он взаимодействует с магнитом, потому что он происходит из GaNS CH3, который производится с помощью пластины из оцинкованного железа.
Поскольку он сделан в плазменном состоянии элемента железа (или, другими словами, он находится «в напряженности плазменного поля железа»), он наследует определенные плазменные свойства железа). Дейтерий GaNS имеет черный или желтый цвет.
Внимание! Не используйте дейтерий-GaNS в медицинских целях, если вы не обладаете необходимыми знаниями.
Первый метод Для получения дейтерия используется стандартный реактор СO2. Внутрь производственного бокса GaNS над уровнем воды (так же, как и в процедуре получения Tritium GaNS) помещают открытый стеклянный сосуд с GaNS CH3 и герметично закрывают реактор. Плазменные процессы в производственном блоке CH3 образуют своеобразный «магнит» как для углеродного элемента (C), так и для водородного элемента (H). Поэтому из плазменной структуры CH2GaNS в меньшем сосуде, расположенном в верхней части реактора, извлекается один атом углерода и один атом водорода. Таким образом получают GaNS из дейтерия (H2) в напряженности поля железа.
Второй метод получения дейтерия GaNS заключается в реструктуризации CH2GaNS. Для производства CH2 GaNS можно использовать производственный комплект CH3 GaNS и подключить источник питания между двумя металлическими пластинами. Подсоедините медную пластину с нанопокрытием к (+) источника питания, а оцинкованный листовой электрод — к (-) источника питания. Используемый электрический ток не должен превышать 1,5 В и 50 мА. Полученный CH2GaNS имеет ярко выраженный черный цвет. Извлекая поля углерода из структуры CH2 GaNS, мы получаем дейтерий. Этого можно добиться в герметично закрытой камере для производства CO2. Внутри него, над пластинами, можно разместить открытый сосуд с CH2-GaNS – рис. 4.
Эта процедура аналогична процедуре восстановления CH3 до Tritium-GaNS. Структура CH2GaNS обедняется углеродом (C) и восстанавливается до H2.Рис. 5. Производство дейтерия GaNS (№3).
Третий метод получения Deuterium GaNS аналогичен получению Tritium GaNS, но на этот раз используется комплект для производства ZnO GaNS — цинковая пластина и цинк с нанопокрытием. Стеклянный сосуд в верхней части реактора заполнен дистиллированной водой (H2O). Опять же, весь производственный бокс GaNS должен быть герметичным — см. рис. 5.
Когда кислород внутри реактора и в воздухе исчерпывается, вытягивается кислород из дистиллированной воды. Это явление связано с тем, что дистиллированная вода, погруженная в плазменные поля этого реактора, находится в состоянии плазмы и будет вести себя точно так же, как H2O GaNS. Оставшийся водород образует дейтерий GaNS, что можно подтвердить визуально, так как дистиллированная вода постепенно приобретает черный цвет. Процесс связывания двух атомов водорода в структуру дейтерия показан на рис. 6.
Очень интересным применением более позднего метода восстановления (№3) является восстановление (в ящике с ZnO2) GaNS CO2 до GaNS углерода (C).
Четвертый метод предполагает использование трех динамических реакторов со сферическими контейнерами, заполненными различными пропорциями трития (H3) GaNS. За счет плазменных взаимодействий между тремя реакторами восстановление H3GaNS в одном из реакторов приводит к дейтерию GaNS, в другом реакторе восстанавливается до водорода GaNS, а в последнем остается тритий.
Для сбора дейтерия GaNS используйте шприц с иглой. Снимите крышку реактора и с помощью иглы шприца соберите дейтерий GaNS. Возьмите герметичную пробирку, откройте ее и с помощью иглы шприца введите в нее дейтерий GaNS; заклеить трубку.
Внимание! Храните этот GaNS в герметично закрытых контейнерах/пробирках, которые могут быть покрыты нанопокрытием для достижения оптимального результата. Контакт с атмосферой может повлиять на этот GaNS, поскольку он сильно взаимодействует с любым плазменным полем в окружающей его среде.
Тритий GaNS и дейтерий GaNS являются одними из самых мощных источников энергии в плазменных технологиях.Рис. 6. Два атома водорода в структуре CH2GaNS образуют стабильную структуру дейтерия в результате слияния электрона и протона.Рисунок 7.
Магниты и H2 Deuterium GaNS из-за его сродства к железу могут быть реструктурированы под воздействием сильных магнитов.
1. Поместите немного Deuterium GaNS между северным полюсом магнита и южным полюсом другого магнита (рис. 7).
Среда циркуляции магнитного поля между двумя магнитами извлекает магнитные плазменные поля из дейтерия GaNS, часть которых теряется в окружающей среде. После этой экстракции дейтерий теряет один атом водорода, а H2 восстанавливается до одного нейтрона.
2. Помещение некоторого количества дейтерия GaNS между двумя северными полюсами двух магнитов (рис. 8) приводит к концентрации энергии между двумя магнитами. Это присутствие полей «подпитывает» дейтерий магнитными полями, так что он получает нейтрон и превращается в тритий. В этом процессе постепенно образуется тритий GaNS.
3. Помещение некоторого количества дейтерия GaNS между двумя южными полюсами двух магнитов (рис. 9) запускает мощный процесс извлечения энергии, в котором дейтерий теряет один атом водорода, превращаясь в нейтрон.
Аналогичные процессы происходят в водородных или тритиевых GaNS, помещенных между двумя магнитами в разных конфигурациях. Таким образом, пятый метод получения дейтерия GaNS заключается в реструктуризации трития GaNS между двумя южными полюсами двух магнитов или между южным полюсом и северным полюсом магнитов.
Процедура получения водорода GaNS (H)
Чтобы получить GaNS из водорода, можно начать с CH2GaNS, помещенного в открытый стеклянный сосуд (рис. 10).
Поместите его в герметичную производственную коробку CH3 GaNS. Этот реактор CH3 действует как магнит для атомов CH в структуре CH2 GaNS, а CH2 восстанавливается до водорода GaNS синего цвета. Имейте в виду, что часто в сосуде остается некоторое количество CH2GaNS, смешанное с водородом GaNS.
Внимание! Не используйте Hydrogen GaNS в медицинских целях, если вы не обладаете необходимыми знаниями.
Совет: Эти три GaNS следует всегда хранить в герметично закрытой стеклянной таре, иначе они постепенно возвращаются к структуре исходного материала, из которого были получены (CH3GaNS). Очень практичны стеклянные банки с резиновой крышкой и стеклянной подкладкой.
Процедура получения Neutron GaNS
Разница между атомами Водорода и Дейтерия, как и разница между атомами Дейтерия и Трития, составляет один Нейтрон. Следовательно, можно получить плазму нейтрона, способствуя плазменным взаимодействиям между этими парами GaNS.
Однако необходимо иметь в виду, что нейтронная плазма, полученная при взаимодействии дейтерия и трития, отличается от плазмы, получаемой при взаимодействии дейтерия и водорода.
Примером такого плазменного реактора улавливания нейтронов является динамический многозонный реактор, состоящий из трех шаров разного размера (один внутри другого), вращаемых двигателем. Для достижения наилучших результатов эти сферические контейнеры должны быть сделаны из стекла. Самый большой шар заполнен определенным количеством Tritium GaNS в растворе соли в дистиллированной воде. Средний шар, помещенный внутрь него, наполнен раствором солей дистиллированной воды. Внутри среднего шара находится третий (самый маленький) шар, наполненный дейтерием GaNS, опять же в растворе соли в дистиллированной воде. Нейтронная плазма захватывается солевым раствором дистиллированной воды среднего шара. Соленая вода — лучшая среда для захвата нейтронов, потому что она замедляет плазменные поля до их материального состояния. Этот нейтронный захват находится на уровне энергии плазмы.
Однако необходимо иметь в виду, что Нейтрон очень нестабилен. При взаимодействии плазмы с другими нейтронами он легко распадается на протон и электрон, излучая плазменные поля. В результате нейтроны образуют дейтерий, тритий или другие новые элементы. Результаты зависят от плазменной среды, которую мы создаем для этих процессов, и одним из существенных факторов в создании этой среды является наше собственное сознательное намерение, энергии, которые мы вовлекаем в этот процесс с уровня Души.
Нейтрон – это исходная, фундаментальная плазма. Нейтронное плазменное поле лежит в основе плазменных технологий производства материалов любого типа, в зависимости от состояния плазмы и интенсивности, с которой создается Нейтрон. Водорода, дейтерия и трития GaNS, которые используются в производстве нейтронных месторождений, достаточно для производства любого элемента, обнаруженного во Вселенной. Все приложения плазменной технологии находятся в пределах досягаемости, но только при правильном использовании и понимании поля нейтронной плазмы.